新興製造商，源頭供應。
Msemitek（美浦森半導體）是分立及功率器件半導體製造商，2014 年成立，總部位於深圳，研發矽及碳化矽（SiC）功率器件，在深圳及蘇州設有研發中心，並在深圳設有 CNAS 認可實驗室。晶圓生產採用中國及韓國的合作晶圓廠。Msemitek 表示其已取得 ISO 9001、ISO 14001 及 ISO 45001 認證。
相比我們產品線上的知名大廠，它是規模較小的品牌。對 EMS 採購而言，這正是重點：第二貨源、原廠價格、原廠快速回覆，以及驗證所需的樣品。
原廠直供
貨源來自 Msemitek，而非現貨市場。
價格具競爭力
降本項目的實用第二貨源。
樣品支援
提供驗證用樣品及規格書。
我們供應的 Msemitek 產品。
系列及封裝以 Msemitek 現行規格書為準。
功率 MOSFET
溝槽及 SGT MOSFET（16–200 V，N 溝道及 P 溝道）、超結 MOSFET（600–950 V）及平面 MOSFET（200–1500 V）。SiC MOSFET 650 至 1700 V。
二極管
碳化矽（SiC）二極管，650 至 1700 V。
IGBT 及模組
溝槽 IGBT，650 至 1700 V，有分立器件及模組；另有 MOS 及 IGBT 智能功率模組（IPM）。
產品系列。
發送競爭品牌料號，我們會建議最接近的 Msemitek 型號供您審閱。
| 型號 | 類型 | 主要額定值 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| SLD140N02T | 溝槽 MOSFET，N 溝道 | 20 V，148 A，4.5 V 時最大 2.5 mΩ | TO-252 |
| SLM150N03G | SGT MOSFET，N 溝道 | 30 V，150 A，10 V 時最大 1.3 mΩ | PDFN5×6 |
| SLH60R040E7 | 超結 MOSFET | 600 V，最大 40 mΩ | TO-247 |
| SLC60R105GTDI | 超結 MOSFET，快恢復體二極管 | 600 V，最大 105 mΩ | TOLL |
| MSD10065G1 | SiC 肖特基二極管 | 650 V, 10 A | TO-252 |
| MSH025120MT | SiC MOSFET | 1200 V，80 A，典型 25 mΩ | TO-247-3 |
| MSHP275GS065DA1 | 溝槽 IGBT | 650 V, 275 A | TO-247P-3L |
逾 600 個料號。
料號數目取自 Msemitek 2026 年 1 月選型指南；電壓範圍取自該指南及 Msemitek 2026 年公司簡介。完整清單可應要求提供。
| 系列 | 料號數目 | 電壓 |
|---|---|---|
| 中低壓 MOSFET（溝槽、SGT） | 245 | 16–200 V |
| 超結 MOSFET | 146 | 600–950 V |
| 平面 MOSFET | 107 | 200–1500 V |
| IGBT | 48 | 650–1700 V |
| SiC 二極管 | 47 | 650–1700 V |
| SiC MOSFET | 51 | 650–1700 V |
MS OpenLab，深圳。
Msemitek 在深圳自設測試中心 MS OpenLab，2019 年成立，2024 年 3 月獲 CNAS 認可，面積逾 1,000 m²，涵蓋器件測試、可靠性、失效分析及應用測試。典型項目：−55 至 200 °C 靜態及動態參數、開關及反向恢復、熱阻、HTRB／HTGB／H3TRB、溫度循環及 HAST，以及用於失效分析的 X 光及開蓋。
AI 伺服器電源。
針對 AI 伺服器電源（1 kW 至 12 kW 以上），Msemitek 提供用於圖騰柱 PFC 及 LLC 級的 600/650 V 超結 MOSFET（E7 系列；E7D 及 GTD 帶快恢復體二極管），以及 650、750、1200 及 1700 V SiC MOSFET（MT 及 MF 系列）。
應用領域。
應用領域取自 Msemitek 2026 年公司簡介。